8.1 Wat maak dat silikoon verskil van 'n metaal ten opsigte van die geleiding van elektrisiteit? Noem EEN verskil - NSC Technical Sciences - Question 8 - 2021 - Paper 1

Die proses waarborg dat 'n beter geleier van elektrisiteit deur doping verkry kan word. Doping is die proses om onsuiwerhede aan intrisieke halfgeleiers toe te voeg.

'n P-N verbinding diod is 'n kombinasie van p-tipe halfgeleier materiaal met n-tipe halfgeleier materiaal, wat dit moontlik maak vir elektrisiteit om slegs in een rigting te vloei.

Die kapasitanse $C$ van die kapasitor kan bereken word met die formule: $C = \frac{Q}{V}$ Hier waar $Q$ die lading en $V$ die potensiaalverskil is.

Gegewe dat die kapasitanse $C = 4 \times 10^6$ F en die lading $Q = 2$ C, kan ons die potensiaalverskil $V$ bereken:

$V = \frac{Q}{C} = \frac{2}{4 \times 10^6} = 5 \times 10^{-7} \text{ V}$

Die oppervlakte $A$ van die plates word bereken deur die formule: $C = \epsilon_0 \frac{A}{d}$ waar $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} ext{ F/m}$ en $d = 0,0008$ m is die afstand tussen die plates. Hertoetsing gee ons:

$A = C \cdot \frac{d}{\epsilon_0} = 4 \times 10^6 \cdot \frac{0,0008}{8.85 \times 10^{-12}} = 361,58 \text{ m}^2$

Die kapasitanse is direk eweredig aan die oppervlakte van die plates. Dit beteken dat die kapasitanse sal verhoog indien die plateoppervlakte vergroot word, en sal afneem indien die plateoppervlakte verkleind word.

Teken 'n diagram waar die 5 Ω en 12 Ω weergawe in parallel aan die 9 V-battery is. Gebruik byskrifte om die rigting van die stroom aan te dui asook die waarde van elke resistor.

Gebruik Ohm se wet $I = \frac{V}{R}$ om die stroom deur elke weerstand te bereken:

Vir die 5 Ω weerstand: $I_1 = \frac{9}{5} = 1,8 A$

Vir die 12 Ω weerstand: $I_2 = \frac{9}{12} = 0,75 A$

Die totale stroom deur die baterij is dus die som van die strome: $I_{total} = I_1 + I_2 = 1,8 + 0,75 = 2,55 A$